ZXMN3F31DN8TA

包装
Digi-Reel? 可替代的包装
系列
-
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
5.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
24 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
12.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
608pF @ 15V
功率 - 最大值
1.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
产品简介说明
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
产品描述备注

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