SIA921EDJ-T1-GE3

包装
Digi-Reel? 可替代的包装
系列
TrenchFET?
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
4.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
59 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
-
功率 - 最大值
7.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? SC-70-6 双
产品简介说明
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
产品描述备注

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