IXFN180N10

包装
管件
系列
HiPerFET??
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
180A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
8 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
360nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
9100pF @ 25V
功率 - 最大值
600W
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
产品简介说明
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
产品描述备注

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