APTM120H140FT1G

包装
散装
系列
-
FET 类型
4 个 N 通道（H 桥）
FET 功能
标准
漏源极电压 (Vdss)
1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
1.68 欧姆 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
145nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
3812pF @ 25V
功率 - 最大值
208W
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP1
产品简介说明
MOSFET MOD FULL BRIDGE 1200V SP1
产品描述备注

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