APTM100SK33T1G

包装
散装
系列
-
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压 (Vdss)
1000V（1kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
23A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
396 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
305nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
7868pF @ 25V
功率 - 最大值
390W
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP1
产品简介说明
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
产品描述备注

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