GWM160-0055X1-SLSAM

包装
管件
系列
-
FET 类型
6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能
标准
漏源极电压 (Vdss)
55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
150A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
3.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
105nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
-
功率 - 最大值
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
17-SMD，扁平引线
产品简介说明
IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT
产品描述备注

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