APTC60DAM35T1G

包装
散装
系列
-
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
72A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
35 毫欧 @ 72A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 5.4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
518nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
14000pF @ 25V
功率 - 最大值
416W
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP1
产品简介说明
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
产品描述备注

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