您好，欢迎您来到恩威电子有限公司官方网站
服务热线：0755-83309117 / 13723459646 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置：首 页 >> 产品索引 >> ZXM66P02N8TA
跳过导航链接。

ZXM66P02N8TA

  • 厂家：Diodes Incorporated
  • 封装：8-SO
  • 批号：--
  • 数量：1,536 - 立即发货
  • 价格：21.490
  • 类型：FET - 单
  • PDF：ZXM66P02N8TA

ZXM66P02N8TA

  • 包装

    剪切带 （CT） 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET P 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    6.4A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    25 毫欧 @ 3.2A，4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    700mV @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    43.3nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    2068pF @ 15V

  • 功率 - 最大值

    1.56W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • 产品简介说明

    MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

  • 产品描述备注

特价专区

在线客服1
扫描加我微信
QQ在线客服