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VMO650-01F

  • 厂家：IXYS
  • 封装：Y3-DCB
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：1334.410
  • 类型：FET - 模块
  • PDF：VMO650-01F

VMO650-01F

  • 包装

    散装

  • 系列

    HiPerFET??

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    100V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    690A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    1.8 毫欧 @ 500mA，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    6V @ 130mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    2300nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    59000pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    2500W

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    Y3-DCB

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 100V 690A MODULE

  • 产品描述备注

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