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STGWT40H65DFB

  • 厂家：STMicroelectronics
  • 封装：TO-3P
  • 批号：--
  • 数量：600 - 立即发货
  • 价格：22.610
  • 类型：IGBT - 单路
  • PDF：STGWT40H65DFB

STGWT40H65DFB

  • 包装

    管件

  • 系列

    -

  • IGBT 类型

    沟道和场截止

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    650V

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    80A

  • Current - Collector Pulsed (Icm)

    160A

  • 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)

    2V @ 15V，40A

  • 功率 - 最大值

    283W

  • Switching Energy

    498μJ （开）， 363μJ （关）

  • 输入类型

    标准

  • Gate Charge

    210nC

  • 25°C 时 Td（开/关）值

    40ns/142ns

  • Test Condition

    400V, 40A, 5 欧姆, 15V

  • 反向恢复时间 (trr)

    62ns

  • 封装/外壳

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 安装类型

    通孔

  • 产品简介说明

    IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

  • 产品描述备注

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