您好，欢迎您来到恩威电子有限公司官方网站
服务热线：0755-83309117 / 13723459646 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置：首 页 >> 产品索引 >> SI7956DP-T1-GE3
跳过导航链接。

SI7956DP-T1-GE3

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：PowerPAK® SO-8 Dual
  • 批号：--
  • 数量：4 - 立即发货
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    2 个 N 沟道（双）

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    150V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    2.6A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    105 毫欧 @ 4.1A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    26nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    -

  • 功率 - 最大值

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8 双

  • 产品简介说明

    MOSFET 2N-CH 150V 2.6A 8-SOIC

  • 产品描述备注

特价专区

在线客服1
扫描加我微信
QQ在线客服