您好,欢迎您来到恩威电子有限公司官方网站
服务热线:0755-83309117 / 13723459646 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置:首 页 >> 产品索引 >> IXTN120P20T
跳过导航链接。

IXTN120P20T

  • 厂家:IXYS
  • 封装:SOT-227B
  • 批号:--
  • 数量:电询
  • 价格:241.777
  • 类型:FET - 模块
  • PDF:IXTN120P20T

IXTN120P20T

  • 包装

    管件

  • 系列

    TrenchP??

  • FET 类型

    MOSFET P 通道,金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    200V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)

    106A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)

    30 毫欧 @ 60A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    740nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    73000pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    830W

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 产品简介说明

    MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227

  • 产品描述备注