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HGT1S10N120BNST

  • 厂家：Fairchild Semiconductor
  • 封装：TO-263AB
  • 批号：--
  • 数量：137 - 立即发货
  • 价格：询价
  • 类型：IGBT - 单路
  • PDF：HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    -

  • IGBT 类型

    NPT

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    1200V

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    35A

  • Current - Collector Pulsed (Icm)

    80A

  • 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)

    2.7V @ 15V，10A

  • 功率 - 最大值

    298W

  • Switching Energy

    320μJ （开）， 800μJ （关）

  • 输入类型

    标准

  • Gate Charge

    100nC

  • 25°C 时 Td（开/关）值

    23ns/165ns

  • Test Condition

    960V, 10A, 10 欧姆, 15V

  • 反向恢复时间 (trr)

    -

  • 封装/外壳

    TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

  • 产品简介说明

    IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

  • 产品描述备注

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