您好，欢迎您来到恩威电子有限公司官方网站
服务热线：0755-83309117 / 13723459646 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置：首 页 >> 产品索引 >> GT30J121(Q)
跳过导航链接。

GT30J121(Q)

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：TO-3P（N）
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：38.415
  • 类型：IGBT - 单路
  • PDF：GT30J121(Q)

GT30J121(Q)

  • 包装

    管件

  • 系列

    -

  • IGBT 类型

    -

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    600V

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    30A

  • Current - Collector Pulsed (Icm)

    60A

  • 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)

    2.45V @ 15V，30A

  • 功率 - 最大值

    170W

  • Switching Energy

    1mJ （开）， 800μJ （关）

  • 输入类型

    标准

  • Gate Charge

    -

  • 25°C 时 Td（开/关）值

    90ns/300ns

  • Test Condition

    300V， 30A， 24 欧姆， 15V

  • 反向恢复时间 (trr)

    -

  • 封装/外壳

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 安装类型

    通孔

  • 产品简介说明

    IGBT 600V 30A 170W TO3PN

  • 产品描述备注

特价专区

在线客服1
扫描加我微信
QQ在线客服