FDG311N
剪切带 (CT) 可替代的包装
PowerTrench?
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平栅极,2.5V 驱动
20V
1.9A
115 毫欧 @ 1.9A,4.5V
1.5V @ 250μA
4.5nC @ 4.5V
270pF @ 10V
480mW
表面贴装
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6