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BST62,115

  • 厂家：NXP Semiconductors
  • 封装：SOT-89-3
  • 批号：--
  • 数量：1,000 - 立即发货
  • 价格：1.826
  • 类型：晶体管（BJT） - 单路
  • PDF：BST62,115

BST62,115

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    PNP - 达林顿

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    1A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    80V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    1.3V @ 500μA， 500mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    50nA

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    2000 @ 500mA，10V

  • 功率 - 最大值

    1.3W

  • 频率 - 跃迁

    200MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-243AA

  • 产品简介说明

    TRANSISTOR DARL PNP SOT89

  • 产品描述备注

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