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BSM180D12P2C101

  • 厂家：Rohm Semiconductor
  • 封装：模块
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：4715.830
  • 类型：FET - 模块
  • PDF：BSM180D12P2C101

BSM180D12P2C101

  • 包装

    散装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    2 个 N 通道（半桥）

  • FET 功能

    碳化硅 （SiC）

  • 漏源极电压 (Vdss)

    1200V（1.2kV）

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    180A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    -

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 35.2mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    -

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    23000pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    1130W

  • 安装类型

    *

  • 封装/外壳

    模块

  • 产品简介说明

    POWER MODULE 1200V 180A

  • 产品描述备注

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