您好，欢迎您来到恩威电子有限公司官方网站
服务热线：0755-83309117 / 13723459646 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置：首 页 >> 产品索引 >> APTM120DA68T1G
跳过导航链接。

APTM120DA68T1G

  • 厂家：Microsemi Power Products Group
  • 封装：SP1
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 模块
  • PDF：APTM120DA68T1G

APTM120DA68T1G

  • 包装

    散装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    1200V（1.2kV）

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    15A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    816 毫欧 @ 12A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    5V @ 2.5mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    260nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    6696pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    357W

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    SP1

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

  • 产品描述备注

特价专区

在线客服1
扫描加我微信
QQ在线客服