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APTM120DA30CT1G

  • 厂家:Microsemi Power Products Group
  • 封装:SP1
  • 批号:--
  • 数量:9 - 立即发货
  • 价格:732.900
  • 类型:FET - 模块
  • PDF:APTM120DA30CT1G

APTM120DA30CT1G

  • 包装

    散装

  • 系列

    POWER MOS 8??

  • FET 类型

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    1200V(1.2kV)

  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)

    31A (Tc)

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)

    360 毫欧 @ 25A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 2.5mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    560nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    14560pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    657W

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    SP1

  • 产品简介说明

    MOD MOSFET SIC DIODE 1200V SP1

  • 产品描述备注