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ALD111933SAL

  • 厂家：Advanced Linear Devices Inc
  • 封装：8-SOIC
  • 批号：--
  • 数量：409 - 立即发货
  • 价格：14.770
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：ALD111933SAL

ALD111933SAL

  • 包装

    管件

  • 系列

    EPAD?

  • FET 类型

    2 N 沟道（双）配对

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    10.6V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    6.9mA， 3mA

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    500 欧姆 @ 5.9V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    3.35V @ 1μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    -

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    2.5pF @ 5V

  • 功率 - 最大值

    500mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • 产品简介说明

    MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

  • 产品描述备注

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